طراحی و ساخت ساختار جدید سنسورهای گاز ترانزیستور تونلی- مغناطیسی (mtt-gs) بر مبنای اسپینترونیک با استفاده از نانولایه ها

پایان نامه
چکیده

در این تحقیق ابتدا سنسور گاز mtt را با استفاده از نرم افزار matlab به نحو مطلوبی مدل سازی نمودیم تا تأثیر برخی از پارامترهای موثر در طراحی این سنسور شامل تراکم گاز، ضخامت سد تونلی پیوند بیس- امیتر و ارتفاع سد شاتکی پیوند کلکتور- بیس را بر روی میزان پاسخ دهی سنسور گاز mtt مورد مطالعه قرار دهیم. یکی از نتایج جالب حاصل از این مدل سازی نشان داد که در تراکمهای خیلی کمِ گاز میزان پاسخ دهی سنسور با سد شاتکی ?cb (ساختار mtt) نسبت به سنسور بدون سد شاتکی (ساختار mtj) به اندازه 13.7 مرتبه افزایش داشته است که حاکی از عملکرد فوق العاده سنسور mtt در تشخیص تراکمهای خیلی کمِ گاز است. از سوی دیگر چنانچه مشاهده شد پاسخ هر دو سنسور mtt و mtj با افزایش مقدار تراکم گاز و یا کاهش ضخامت سد تونلی پیوند بیس- امیتر به میزان قابل توجهی افزایش یافته است. سپس در ادامه یک نمونه سنسور تونلی- مغناطیسی ni/al2o3/ni/n-si با انجام لایه نشانی های ni، al2o3 و ni به روش تبخیر پرتو الکترونی (e-beam) به ترتیب با ضخامتهای ni(nm30)، al2o3(nm10، nm15، nm20 و nm25) و ni(nm50) بر روی نیمه هادی si نوع n ساخته شده و یک پروفایل مغناطیسی مناسب بصورت تابعی از شدت میدان مغناطیسی (h)، دما (t) و مدت زمان (t) جهت مغناطیس کردن لایه های فرومغناطیس ni بیس و امیتر مورد استفاده قرار گرفته است. با ساخت یک سیستم تست گاز جهت بدست آوردن مشخصه های جریان- ولتاژ (i-v) سنسورهای تونلی- مغناطیسی قبل و بعد از حضور گاز هیدروژن، به اندازه گیری تأثیر همان پارامترهای موردنظر (ضخامت سد تونلی پیوند بیس- امیتر، تراکم گاز و ارتفاع سد شاتکی پیوند کلکتور- بیس) بر روی برخی از مشخصه های سنسور شامل میزان پاسخ دهی (حساسیت)، زمان پاسخ دهی و توان مصرفی سنسور پرداختیم. چنانچه مشاهده شد با کاهش ضخامت سد تونلی، میزان پاسخ دهی هر دو سنسور mtt و mtj در مواجهه با تراکم ثابت از گاز هیدروژن افزایش یافته اند، بطوری که مقادیر پاسخ دهی بیشتر برای سنسورهای دارای سد تونلی نازکتر بدست آمده اند. این اندازه گیری ها با نتایج پاسخ دهی حاصل از مدل سازی سنسور مغناطیسی با ضخامتهای مختلف سد تونلی نیز کاملاً مطابقت داشته است. از سوی دیگر دیده شد که با افزایش تراکم گاز هیدروژن، میزان پاسخ دهی هر دو سنسور mtt و mtj با ضخامت سد تونلی یکسان افزایش یافته اند که نتایج مدل سازی سنسور مغناطیسی در پاسخ به تراکمهای مختلف گاز نیز موید آن بوده است. همچنین با توجه به نمودارهای بدست آمده دریافتیم که پاسخ سنسورهای mtt در مقایسه با سنسورهای mtj در تراکم ثابت از گاز هیدروژن و ضخامت سد تونلی یکسان به مراتب بیشتر بوده است. بطور مثال در پاسخ به ppm 1000 هیدروژن میزان پاسخ دهی سنسور mtj با ضخامت سد تونلی nm 10 مقدار %74 بوده است در حالی که این میزان برای سنسور mtt با همان شرایط به مقدار %134 افزایش یافته است (تقریباً معادل 1.8 برابر) که به روشنی عملکرد بهتر سنسور mtt در تشخیص گاز هیدروژن را نشان می دهد و با نتایج پاسخ دهی سنسور حاصل از اثر سد شاتکی که از مدل سازی سنسور مغناطیسی بدست آمده است نیز هم خوانی کامل دارد. پس از بررسی میزان پاسخ دهی سنسورها در ادامه به اندازه گیری زمان پاسخ دهی این سنسورها در دو حالت mtt و mtj با ضخامتهای مختلف سد تونلی و نسبت به تراکمهای مختلف گاز هیدروژن پرداختیم. نتایج اندازه گیری حاکی از آن بوده است که سنسورهای mtt و mtj دارای زمان پاسخ دهی تقریباً یکسانی بوده اند اما با افزایش ضخامت سد تونلی زمان پاسخ دهی سنسور نیز افزایش یافته است بطوری که زمان پاسخ دهی در مواجهه با ppm 1000 هیدروژن از 3.1 ثانیه برای سنسور با ضخامت سد تونلی nm 10 به 5.1 ثانیه برای سنسور با ضخامت سد تونلی nm 25 تغییر کرده است. اندازه گیری زمان بازگشت این سنسورها نیز نشان می دهد سنسور با سد تونلی نازکتر دارای زمان بازگشت کوتاهتری است که در مجموع زمان بازگشت این سنسورها در حدود 4 دقیقه اندازه گیری شده است. در پایان نیز مشاهده شد توان مصرفی هر دو سنسور mtt و mtj با افزایش ضخامت سد تونلی کاهش یافته و در عین حال سنسور mtt دارای توان مصرفی بیشتری در مقایسه با سنسور mtj در یک ضخامت سد ثابت بوده است، بطوری که کمترین توان مصرفی سنسورهای mtt و mtj با ضخامت سد تونلی nm 25 و قبل از اعمال گاز به ترتیب برابر ?w 34 و ?w 23.5 بدست آمد. با اعمال گاز هیدروژن و افزایش تراکم آن، جریان هر یک از سنسورها و در نتیجه توان مصرفی هر دو سنسور mtt و mtj افزایش یافته و همچنین سنسور mtt نسبت به سنسور mtj در یک تراکم ثابت از گاز هیدروژن نیز دارای توان مصرفی بیشتری بوده است. بیشترین توان مصرفی نیز در مواجهه با تراکم ppm 1000 از گاز هیدروژن بدست آمد که برای سنسورهای mtt و mtj به ترتیب برابر ?w 515 و ?w 317 بوده است.

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

مقایسه تأثیر وضعیت طاق باز و دمر بر وضعیت تنفسی نوزادان نارس مبتلا به سندرم دیسترس تنفسی حاد تحت درمان با پروتکل Insure

کچ ی هد پ ی ش مز ی هن ه و فد : ساسا د مردنس رد نامرد ي سفنت سرتس ي ظنت نادازون داح ي سکا لدابت م ي و نژ د ي سکا ي د هدوب نبرک تسا طسوت هک کبس اـه ي ناـمرد ي فلتخم ي هلمجزا لکتورپ INSURE ماجنا م ي دوش ا اذل . ي هعلاطم ن فدهاب اقم ي هس عضو ي ت اه ي ندب ي عضو رب رمد و زاب قاط ي سفنت ت ي هـب لاتـبم سراـن نادازون ردنس د م ي سفنت سرتس ي لکتورپ اب نامرد تحت داح INSURE ماجنا درگ ...

متن کامل

طراحی و ساخت حسگر میدان مغناطیسی بر پایه فیبرنوری نازک شده با استفاده از نانو فروسیال

در این تحقیق حسگر میدان مغناطیسی بصورت مقرون به صرفه و با حساسیت بالا بر پایه فیبرنوری نازک شده با استفاده از سیال مغناطیسی طراحی شده‌ است. نانوفروسیال توسط آنالیزهای پراش اشعه‌ی ایکس و میکروسکوپ الکترونی روبشی مشخصه‌یابی شد. حسگرمیدان مغناطیسی با قرار دادن فروسیال حول فیبرهای نوری با طول یکسان وقطر‌های مختلف تهیه شدند. اثر قطر فیبر نوری بر خواص حسگر بصورت تجربی مورد بررسی قرار گرفت. فیبر نوری ...

متن کامل

طراحی و ساخت سنسورهای فشار دینامیکی با استفاده از فیلم های ضخیم پیزوسرامیک

چکیده در مقاله حاضر به بررسی طراحی و ساخت یک نوع سنسور فشار دینامیکی متکی بر ساختار پیزوالکتریک پرداخته شده است. عناصر مهم و اصلی سنسور از پیزوالکتریک اسکرین پرینت شده که به عنوان عنصر حسگر عمل می کند و همچنین 5 قطعه اساسی شامل دیافراگم، هوسینگ، الکترودها و کانکتور تشکیل شده است. از فرایندهای جوش لیزر به همراه وایرکات، ماشینکاری تخلیه الکتریکی، قالب پرس، تراشکاری، فرزکاری و …در روش ساخت استفاده...

متن کامل

طراحی و ساخت یک حسگر گاز بر مبنای ساختار فیبرنوری

پوشش دور هسته یک فیبرنوری تک مد با استفاده از روش زدایش شیمیایی مرطوب تا نزدیکی هسته برداشته شد. لایه های آمورف اکسیدقلع با تکنیک تبخیر به روش پرتو الکترونی بر روی هسته فیبر و لام های شیشه ای لایه نشانی شدند. فشار محفظه به طور میانگین 5-10×4 torr بود و زیرپایه ها (فیبرها و لام های شیشه ای) در دمای اتاق قرار داشتند. لایه های حاصل، یکنواخت و زرد رنگ بودند و اندازه ی دانه ها در حدود 20 نانومتر بود...

15 صفحه اول

بهبود مشخصه های ترانزیستور تونلی با ساختار عمودی و ناهمگون

چکیده با کاهش ابعاد ترانزیستورهای ماسفت و نزدیک شدن به حد نانومتری، شیب زیر آستانه ترانزیستورها زیاد می¬شود. بالا بودن شیب زیر آستانه در این ترانزیستورها و داشتن نسبت ion/ioff پایین، کاربرد آنها را در مدارهای دیجیتال و آنالوگ دچار چالش می¬کند. برای کاهش شیب زیر آستانه و همچنین افزایش نسبت ion/ioff، ساختارهای تازه ای معرفی شده است که ترانزیستورهای اثر میدانی تونل زنی یکی از آنها است. این تران...

طراحی و پیاده سازی یک سیستم کنترل نیمه‌فعال سازه‌یی با استفاده از میراگر مغناطیسی جدید

در نوشتار حاضر، یک سیستم نیمه‌فعال سازه‌یی با استفاده از یک میراگر مغناطیسی جدید طراحی، ساخته و بر روی یک قاب برشی دو درجه آزادی آزمایشگاهی پیاده‌سازی شده است. در ابتدا بر پایه‌ی نتایج آزمون، پارامترهای مدل میراگر براساس مدل بوک ـ ون شناسایی شدند. در ادامه، کنترل‌کننده‌های قلاب آسمانی و تناسبی ـ مشتق‌گیر ـ انتگرال‌گیر طراحی و بر روی سازه پیاده‌سازی و عملکرد آن‌ها برای یک زلزله‌ی نمونه با استفاد...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023